SK海力士加快1c DRAM转型，领跑韩国HBM4E竞争

据韩媒报道，SK海力士正迅速扩大第六代10纳米级（1c）DRAM的生产占比。由于1c DRAM将从下一代HBM4E开始作为核心芯片应用于高带宽内存（HBM）中，因此该公司正在加快工艺升级。随着服务器和人工智能（AI）对高价值存储器的需求不断增长，SK海力士与三星电子及美光在推进更先进制程方面的竞争也日益激烈。业内人士今日透露，SK海力士1c DRAM的市场份额已从今年第一季度的约10%增长至第二季度的13%左右。预计第三季度将达到24%左右，第四季度将达到34%左右。预计明年第一季度，1c工艺的市场份额将攀升至35%左右，首次超越1b工艺（33%左右），成为主流工艺。