三星计划在2028年之前将阿斯麦顶尖光刻设备用于DRAM生产

三星电子8日宣布，将扩大与荷兰半导体设备制造商阿斯麦的合作，计划在2028年前将High NA EUV引入先进DRAM制造。这将是三星电子首次在DRAM实际量产中采用High NA EUV技术。
High NA EUV是下一代曝光技术，相较于现有EUV设备，其数值孔径（NA）更高，因此能够实现更精细的电路图形。现有EUV设备的NA为0.33，而High NA EUV的NA提升至0.55。由于分辨率更高，High NA EUV能够减少现有EUV工艺中部分需要多次曝光才能完成的步骤，因此在芯片微缩和简化制造流程方面具有优势。
三星电子计划在先进DRAM量产产品中应用High NA EUV，并验证相关工艺条件、良率、生产效率等因素。通过这一过程，公司旨在掌握DRAM进一步微缩所需的关键工艺技术，并加快High NA EUV在量产中的应用进程。