长鑫存储筹备NAND闪存研发生产线 商业化时间表未明

据路透社报道，知情人士称，中国芯片制造商长鑫存储正准备进入由三星电子等外国对手主导的蓬勃发展的闪存芯片市场。两名消息人士称，长鑫存储计划在其北京新工厂建立一条NAND闪存研发生产线。一名消息人士说，该公司还在北京设立了一个研究所，那里的项目包括NAND开发。第三名消息人士说，长鑫存储已与客户讨论了其NAND计划，包括一家新成立的初创公司，该公司打算购买其NAND芯片，用于AI系统和超级计算机的存储产品，但拒绝透露该公司名称。目前尚不清楚该研发生产线何时开始运营，也不清楚长鑫存储是否打算从研发和试生产转向大规模商业制造。