投行：长鑫存储技术上落后四年，国产化需求提供稳定市场

1、长鑫存储在技术上仍落后国际DRAM龙头约3—4年，HBM差距尤其明显，但普通DRAM已经足够覆盖大部分市场，短期盈利受益于DRAM高景气。
2、公司正在以极快速度扩产，预计2028年月晶圆产能约53万片、全球晶圆份额接近20%；受制于较低Bit密度，实际DRAM容量份额预计约12%，收入份额约13%。
3、中国国产化需求使长鑫存储即使技术落后仍能获得稳定市场，HBM也可能依靠本土AI客户形成独立需求。中国DRAM自给率可能从2026年的约42%提高到2028年的约58%。
4、伯恩斯坦对2026—2027年的收入和EPS预测明显高于市场一致预期，但2028年随着DRAM价格回落，预测转为谨慎。最终根据10倍两年期混合EPS，给予长鑫存储70元目标价和“跑赢大盘”评级。（伯恩斯坦9月21日报告）。