三星加速開發3D Cube-H先進封裝，目標2027年初完成開發

據韓國ZDNet 11月10日報道，三星電子計劃於2027年初完成下一代先進封裝技術3D Cube-H的開發，並推出首套設計工具包，隨後啓動潛在客戶評估。該技術採用混閤鍵閤（Hybrid Bonding），通過銅與銅直接連接實現芯片垂直堆疊，互連間距目標約為6微米，較三星現有熱壓鍵閤（TC Bonding）約25微米的最小間距明顯縮小。相比傳統技術，混閤鍵閤能夠提高芯片連接密度、改善散熱並降低數據傳輸能耗，適用於高性能AI芯片、GPU堆疊及邏輯芯片與HBM集成。三星希望借此增強先進封裝競爭力，為爭取大型科技企業AI芯片代工訂單創造條件。