SK 海力士正在為其下一代 HBM 方案引入先進封裝技術

深潮 TechFlow 消息，8 月 24 日，SK 海力士正在為其下一代 HBM 解決方案引入包括英特爾 EMIB 在內的先進封裝技術，並計劃最終邁入 3D 封裝時代。在 2026 年的 Hot Chips 大會上，SK 海力士封裝工程副總裁 Jaesik Lee 發表了題為“高帶寬內存的先進封裝”的報告，詳細闡述了公司將如何利用先進封裝技術加速其 HBM 產品路綫圖，目前 SK 海力士正在探索混閤鍵閤（Hybrid Bonding）等方法，以突破 16 層堆疊的限製，未來，SK 海力士還計劃通過增加 TSV 數量、提高邏輯工藝集成的 IO 速度，以及優化電源分配網絡（PDN）來解決功耗挑戰。(金十)。