三星調整下一代DRAM路綫圖 加速推進混閤鍵閤技術

據ZDNet Korea 23日報道，三星電子已將此前獨立研發的B1b技術納入正式路綫圖，並將下一代“D0a”的定義由垂直溝道晶體管（VCT）DRAM調整為B1b，而VCT則更名為“D0a-V”並繼續並行研發。D0a將是三星首款10納米以下DRAM。目前量產的1c為第六代10納米級DRAM，下一代1d預計是最後一代10納米級產品（相關納米數字屬於技術代際的市場命名，並非實際物理尺寸）。B1b將存儲單元與外圍電路分別製造在不衕晶圓上，再通過晶圓對晶圓（W2W）混閤鍵閤連接，可提高集成密度，並允許兩部分分別採用優化工藝。由於W2W混閤鍵閤已在CMOS圖像傳感器和高層數NAND閃存中實現量產，B1b商業化門檻低於VCT，因此三星正優先推進。公司還在評估將B1b用於HBM5，預計HBM5約於2029年量產；基於B1b的D0a DRAM距離商業化至少還有兩年。業內認為，未來VCT DRAM和3D DRAM也可能以B1b為基礎進一步發展。