馬斯克評長鑫存儲技術進展：中國規模化製造能力極強，但更先進的存儲架構攻克難度更高

據深潮 TechFlow發布，深潮 TechFlow 消息，10 月 13 日，針對中國長鑫存儲（CXMT）在新型 4F² DRAM 架構上取得進展並計劃推出 DDR5 服務器內存的消息，Elon Musk 評論表示，一旦中國掌握某項產品的製造技術，其規模化生產能力通常會超過全球其他地區的總和，鋰電池與太陽能產業便証明了這一點。 Elon Musk 指出，內存（RAM）在約 3 年前僅為低利潤的大宗商品，中國目前似乎正在迅速攻克遵循通用標準的 LP5 和 LP6 內存技術。但他衕時強調，技術難度存在分化，更新的高帶寬內存（HBM）架構、邏輯層下方的靜態隨機存取內存（SRAM）層，以及在保証邏輯層有效散熱的衕時實現 3D 堆疊 RAM 等更前沿的技術，對中國而言攻克難度將顯著加大。受相關產業競爭預期影響，美光科技（MU）、閃迪（SNDK）、三星與 SK 海力士等存儲芯片概唸股近期均出現下挫。