MemSilicon完成國際首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片

據量子位 AI發布,MemSilicon 宣布完成國際首款高密度、大容量 1T4R 1Gb RRAM 芯片流片,採用 CMOS 標準工藝兼容的 1TnR 技術路綫,目前正加速研發。
利多 査看原文
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