三星計劃在2028年之前將阿斯麥頂尖光刻設備用於DRAM生產

三星電子8日宣布，將擴大與荷蘭半導體設備製造商阿斯麥的閤作，計劃在2028年前將High NA EUV引入先進DRAM製造。這將是三星電子首次在DRAM實際量產中採用High NA EUV技術。
High NA EUV是下一代曝光技術，相較於現有EUV設備，其數值孔徑（NA）更高，因此能夠實現更精細的電路圖形。現有EUV設備的NA為0.33，而High NA EUV的NA提昇至0.55。由於分辨率更高，High NA EUV能夠減少現有EUV工藝中部分需要多次曝光才能完成的步驟，因此在芯片微縮和簡化製造流程方面具有優勢。
三星電子計劃在先進DRAM量產產品中應用High NA EUV，並驗証相關工藝條件、良率、生產效率等因素。通過這一過程，公司旨在掌握DRAM進一步微縮所需的關鍵工藝技術，並加快High NA EUV在量產中的應用進程。