投行：長鑫存儲技術上落後四年，國產化需求提供穩定市場

1、長鑫存儲在技術上仍落後國際DRAM龍頭約3—4年，HBM差距尤其明顯，但普通DRAM已經足夠覆蓋大部分市場，短期盈利受益於DRAM高景氣。
2、公司正在以極快速度擴產，預計2028年月晶圓產能約53萬片、全球晶圓份額接近20%；受製於較低Bit密度，實際DRAM容量份額預計約12%，收入份額約13%。
3、中國國產化需求使長鑫存儲卽使技術落後仍能獲得穩定市場，HBM也可能依靠本土AI客戶形成獨立需求。中國DRAM自給率可能從2026年的約42%提高到2028年的約58%。
4、伯恩斯坦對2026—2027年的收入和EPS預測明顯高於市場一致預期，但2028年隨着DRAM價格回落，預測轉為謹慎。最終根據10倍兩年期混閤EPS，給予長鑫存儲70元目標價和“跑贏大盤”評級。（伯恩斯坦9月21日報告）。